Jul 13, 2021
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Jul 13, 2021
10:51 PM
BSC030N08NS5がRds(on),max=3.0mΩでBSC026N08NS5はRds(on),max=2.6mΩとなっております。
しかしながら電流定格はBSC030N08NS5が161AでBSC026N08NS5は100Aとなっております。
Rds(on),max ID
BSC030N08NS5 3.0mΩ 161A
BSC026N08NS5 2.6mΩ 100A
Rds(on)とIDの関係が逆転しているのはなぜでしょうか。
また、データシートの "Diagram2 Draincurrent" を見ると
BSC026N08NS5は100Aで制限がかかっており、BSC030N08NS5はTc=25℃時点での電流で制限がかかっているように見受けられます。
この特性グラフの違いについてもご教示いたけないでしょうか。
しかしながら電流定格はBSC030N08NS5が161AでBSC026N08NS5は100Aとなっております。
Rds(on),max ID
BSC030N08NS5 3.0mΩ 161A
BSC026N08NS5 2.6mΩ 100A
Rds(on)とIDの関係が逆転しているのはなぜでしょうか。
また、データシートの "Diagram2 Draincurrent" を見ると
BSC026N08NS5は100Aで制限がかかっており、BSC030N08NS5はTc=25℃時点での電流で制限がかかっているように見受けられます。
この特性グラフの違いについてもご教示いたけないでしょうか。
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Jul 19, 2021
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Jul 19, 2021
07:40 PM
SoU 様
上記の回答を修正させて頂きます。
弊社で2020年にIdを指定する方法を改善致しました。
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_CuClip_package_drain_current_approach-ApplicationNotes...
より正確な値になり、複数のデバイスのデータシートを更新致しました。
しかし、上記のBSC026N08NS5のデータシートが更新されていないため、前のId指定方法で決定された100Aになっております。
近い将来に更新する計画がございますのでご理解下さい。
宜しくお願い致します。
パブロ
上記の回答を修正させて頂きます。
弊社で2020年にIdを指定する方法を改善致しました。
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_CuClip_package_drain_current_approach-ApplicationNotes...
より正確な値になり、複数のデバイスのデータシートを更新致しました。
しかし、上記のBSC026N08NS5のデータシートが更新されていないため、前のId指定方法で決定された100Aになっております。
近い将来に更新する計画がございますのでご理解下さい。
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パブロ
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Jul 14, 2021
12:54 AM
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Jul 14, 2021
12:54 AM
SoU 様
インフィニオンフォーラムをご利用頂きありがとうございます。
ご指定通り、BSC030N08NS5とBSC026N08NS5の25度時の最大電流が異なります。
その理由は、デバイスの物理的な違いとなっております。
最大Idを指定するとき、チップの特性だけではなく、bond wire、パッケージの物理的な限界も検討致します。
データシートのDiagram2に記載されている急な変化がこの物理的な制限から生じます。
古いApp Noteですが、下記のPage 7に詳しく記載されているので、ご確認頂ければ幸いです。
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_OptiMOS_datasheet_explanation-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=...
”However, in reality, additional boundary conditions, governed by bond wire diameter,
chip design and assembly, limit the maximum continuous drain current as illustrated in Figure 4”
他に質問があれば教えて頂ければ幸いです。
宜しくお願い致します。
パブロ
インフィニオンフォーラムをご利用頂きありがとうございます。
ご指定通り、BSC030N08NS5とBSC026N08NS5の25度時の最大電流が異なります。
その理由は、デバイスの物理的な違いとなっております。
最大Idを指定するとき、チップの特性だけではなく、bond wire、パッケージの物理的な限界も検討致します。
データシートのDiagram2に記載されている急な変化がこの物理的な制限から生じます。
古いApp Noteですが、下記のPage 7に詳しく記載されているので、ご確認頂ければ幸いです。
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_OptiMOS_datasheet_explanation-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=...
”However, in reality, additional boundary conditions, governed by bond wire diameter,
chip design and assembly, limit the maximum continuous drain current as illustrated in Figure 4”
他に質問があれば教えて頂ければ幸いです。
宜しくお願い致します。
パブロ
Jul 19, 2021
07:40 PM
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Jul 19, 2021
07:40 PM
SoU 様
上記の回答を修正させて頂きます。
弊社で2020年にIdを指定する方法を改善致しました。
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_CuClip_package_drain_current_approach-ApplicationNotes...
より正確な値になり、複数のデバイスのデータシートを更新致しました。
しかし、上記のBSC026N08NS5のデータシートが更新されていないため、前のId指定方法で決定された100Aになっております。
近い将来に更新する計画がございますのでご理解下さい。
宜しくお願い致します。
パブロ
上記の回答を修正させて頂きます。
弊社で2020年にIdを指定する方法を改善致しました。
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-MOSFET_CuClip_package_drain_current_approach-ApplicationNotes...
より正確な値になり、複数のデバイスのデータシートを更新致しました。
しかし、上記のBSC026N08NS5のデータシートが更新されていないため、前のId指定方法で決定された100Aになっております。
近い将来に更新する計画がございますのでご理解下さい。
宜しくお願い致します。
パブロ